2011考研上海交大半导体物理与器件基础真题-文都网校考研

2011考研上海交大半导体物理与器件基础真题

时间：2011-01-26 来源：文都教育浏览：分享：

　　2011年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研真题根据网友提供的资料整理而来，难免有所疏漏，仅供参考。

　　一、

　　1.半导体能带形成原因

　　2.绝缘体导体半导体能带图

　　3.算一个半导体的吸收限

　　二、算扩散电流

　　三、

　　1.基区宽度调变效应

　　2.根据基区宽度调变效应的计算

　　四、算基区长度与扩散长度相等时的放大系数

　　五、算mos管的跨导

　　六、短沟道效应及短沟道效应引起的参数变化

　　七、算有效阈值电压与阈值电压的差值

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